서울대 황철성 교수, 한국반도체학술대회 강대원상 수상
작성자 : 관리자|등록일 : 18.02.09|조회수 : 97번 읽음
서울대 황철성 교수,
한국반도체학술대회 강대원상 수상
한국반도체학술대회 강대원상 수상
▲ 서울대 재료공학부 황철성 교수(좌), 한국반도체학술대회에서 강대원상을 수상한 서울대 황철성 교수(우)
서울대 공대(학장 차국헌)는 재료공학부 황철성 교수가 6일 강원도 하이원 리조트에서 개최된 제25회 한국반도체학술대회에서 소자/공정 분야 ‘강대원상’을 수상했다고 9일 밝혔다.
황철성 교수는 지금까지 반도체 공정, 소자, 물질분야에서 527편의 논문을 발표했으며, 그 중 2010년도에 ‘Nature Nanotechnology’에 출판한 논문은 피인용 횟수가 1,400여 회를 넘는 우수한 논문이다. 그는 논문에서 금속 산화막을 이용한 저항변화 메모리의 근본 동적기구 규명 등 저항변화 메모리 분야의 연구를 통해 한국 반도체 발전에 기여한 공로를 인정받아 본 상을 수상했다.
강대원상은 반도체의 기초가 되는 모스펫(MOSFET)과 낸드플래시 데이터 저장 공간인 플로팅게이트트랜지스터(Floating Gate FET)를 최초로 개발한 고(故) 강대원 박사(1931~1992)의 업적을 재조명하기 위해 제정된 상으로, 국내 반도체 학계에서 매우 권위 있는 상이다.
강대원상의 두 번째 수상자인 황 교수는 2015년 서울대 반도체공동연구소장으로 재임 당시 연구소 건물 입구에 강대원 박사 흉상을 세운 바 있다.
황 교수는 “1회 수상자인 서울대 전기정보공학부 박병국 교수님의 뒤를 잇게 돼 매우 영광”이라며, “반도체 분야에서 점점 더 중요한 신소재/공정 그리고 그에 기반한 신소자 분야에 대한 업적을 인정 받아 매우 기쁘다. 반도체에 대한 재료/공정 분야의 더 큰 기여를 기대한다”고 수상 소감을 전했다.
황철성 교수는 지금까지 반도체 공정, 소자, 물질분야에서 527편의 논문을 발표했으며, 그 중 2010년도에 ‘Nature Nanotechnology’에 출판한 논문은 피인용 횟수가 1,400여 회를 넘는 우수한 논문이다. 그는 논문에서 금속 산화막을 이용한 저항변화 메모리의 근본 동적기구 규명 등 저항변화 메모리 분야의 연구를 통해 한국 반도체 발전에 기여한 공로를 인정받아 본 상을 수상했다.
강대원상은 반도체의 기초가 되는 모스펫(MOSFET)과 낸드플래시 데이터 저장 공간인 플로팅게이트트랜지스터(Floating Gate FET)를 최초로 개발한 고(故) 강대원 박사(1931~1992)의 업적을 재조명하기 위해 제정된 상으로, 국내 반도체 학계에서 매우 권위 있는 상이다.
강대원상의 두 번째 수상자인 황 교수는 2015년 서울대 반도체공동연구소장으로 재임 당시 연구소 건물 입구에 강대원 박사 흉상을 세운 바 있다.
황 교수는 “1회 수상자인 서울대 전기정보공학부 박병국 교수님의 뒤를 잇게 돼 매우 영광”이라며, “반도체 분야에서 점점 더 중요한 신소재/공정 그리고 그에 기반한 신소자 분야에 대한 업적을 인정 받아 매우 기쁘다. 반도체에 대한 재료/공정 분야의 더 큰 기여를 기대한다”고 수상 소감을 전했다.
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