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공지사항

삼성전자, 서울대와 ‘AI 공동연구센터’ 설립

삼성전자, 서울대와 ‘AI 공동연구센터’ 설립

삼성전자, 서울대와 ‘AI 공동연구센터’ 설립 삼성전자가 인공지능(AI) 분야 기술 및 제품 경쟁력 확보와 인재 양성을 위해 서울대학교와 ‘AI 공동연구센터’를 설립하여 산학협력을 이어나간다. 삼성전자와 서울대학교는 17일 서울 관악구 소재 서울대 글로벌공학교육센터에서 ‘AI 공동연구센터’ 설립을 위한 업무 협약을 체결했다. ▲ 삼성전자와 서울대학교는 17일 서울 관악구 소재 서울대 글로벌공학교육센터에서 삼성전자 DX부문 CTO겸 삼성리서치장 전경훈 사장(사진 왼쪽에서 여섯 번째)과 서울대 김영오 공과대학장(사진 오른쪽에서 일곱번째) 등이 참석한 가운데 ‘AI 공동연구센터’ 설립을 위한 업무 협약을 체결했다. 이 날 협약식에는 삼성전자 DX부문 최고기술책임자(CTO) 겸 삼성리서치장 전경훈 사장, 삼성리서치 Global AI센터장 김대현 부사장, 서울대 공과대학 김영오 학장, 공과대학원 협동과정 인공지능전공 강유 주임교수 등이 참석했다. 삼성전자 DX부문과 서울대 공과대학 대학원 협동과정 인공지능전공은 이번 업무 협약을 통해 AI 공동연구센터에서 향후 3년간 AI 최신 기술 분야에 대한 산학협력 연구과제를 수행할 예정이다. * 서울대는 2020년 2학기부터 AI전문 인재 양성을 목표로 공과대학 대학원에 ‘협동과정 인공지능전공’을 신설하여 운영 중 연구 과제는 ▲On-Device AI ▲멀티모달(Multi-Modal) AI 등을 위한 세부 기술 확보로 구성된다. 삼성전자는 올해 초 출시된 갤럭시 S24에 서클 투 서치(Circle to Search), 실시간 통역, 포토 어시스트 등 다양한 AI기술을 탑재했으며 비스포크 AI, AI TV 출시 등 AI 기술이 적용된 제품 영역을 확대해 나가고 있다. 삼성전자는 빠르게 변화하는 AI 분야에서 서울대와의 산학협력을 통해 AI 핵심 기술을 확보하고 제품 기술 경쟁력을 강화할 수 있을 것으로 기대한다. 또한, 과제에 참여하는 석·박사급 연구원을 대상으로 우수 인재 양성 및 확보를 위한 채용 연계 활동도 병행할 계획이다. ▲ 삼성전자와 서울대학교는 17일 서울 관악구 소재 서울대 글로벌공학교육센터에서 삼성전자 DX부문 CTO겸 삼성리서치장 전경훈 사장(사진 왼쪽)과 서울대 김영오 공과대학장(사진 오른쪽) 등이 참석한 가운데 ‘AI 공동연구센터’ 설립을 위한 업무 협약을 체결했다. 삼성전자 전경훈 사장은 “서울대와 삼성전자 간 AI 공동연구센터 설립 협약을 통해, 삼성전자가 AI 분야 기술 및 제품 경쟁력을 공고히 하고, AI 미래 연구분야에 우수 인재 확보에 기여할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. 서울대 공과대학 김영오 학장은 “서울대와 삼성전자가 서로간의 목표를 이루기 위해 협약이 충실히 이행될 수 있도록 적극적으로 협력해 나아갈 것이며, 두 기관이 AI 분야뿐만 아니라 다양한 분야에서 긴밀한 협조관계를 유지해 나가기를 바란다”고 말했다. ▲ 삼성전자와 서울대학교는 17일 서울 관악구 소재 서울대 글로벌공학교육센터에서 삼성전자 DX부문 CTO겸 삼성리서치장 전경훈 사장(사진 오른쪽)과 서울대 김영오 공과대학장(사진 왼쪽) 등이 참석한 가운데 ‘AI 공동연구센터’ 설립을 위한 업무 협약을 체결했다.

2024.06.20

서울대 공대 전기정보공학부 홍용택 교수팀, 미세 전자 소자를 연결하는 '위치 선택적 집적 기술' 개발

서울대 공대 전기정보공학부 홍용택 교수팀, 미세 전자 소자를 연결하는 '위치 선택적 집적 기술' 개발

서울대 공대 전기정보공학부 홍용택 교수팀,미세 전자 소자를 연결하는 '위치 선택적 집적 기술' 개발- “초소형 유연·신축성 전자 기기 상용화 앞당길 것” ▲ (좌측부터) 서울대 전기·정보공학부 윤형수 박사, 정수진 박사, 홍용택 교수, 스탠포드 박사후 연구원 이병문 박사(현 DGIST 교수) 서울대학교 공과대학은 전기·정보공학부 홍용택 교수 연구팀이 고신축성·고유연성 전극/기판에 마이크로 LED등의 미세 전자 소자를 물리적, 전기적으로 연결하는 ‘위치 선택적 집적 기술(A site-selective integration strategy)’을 개발했다고 밝혔다. 이번 연구 결과는 전자 분야의 세계 최고 학술지 ‘네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)’에 5월호 표지논문으로 게재됐다. 스트레처블 디스플레이, 전자 피부 등 유연성 및 신축성 전자 분야에서는 단단한 물성을 가진 전자 소자를 부드러운 물성을 가진 전극/기판에 물리적, 전기적으로 연결해야 한다. 그러나 기존의 이방성 도전 필름 등은 자체의 단단한 물성으로 인해 전극/기판의 신축성과 유연성을 저하시키고, 반면에 부드러운 물성의 접착제는 물리적 연결의 안정성이 낮은 문제가 있다. 또한, 소자의 크기가 점차 줄어들면서 좁은 간격의 전극 단자 사이에 전기적 단락 없이 소자와 회로를 연결하는 것이 어려워졌다. 연구팀은 이러한 문제에 대응해 새로운 소자 집적 방식인 ‘위치 선택적 집적 기술’을 개발했다. 이 기술은 딥-트랜스퍼(Dip-transfer) 코팅을 통해 소자의 크기와 종류에 관계없이 소자에만 선택적으로 접착 물질을 패터닝하고, 자기장을 이용해 접착 물질에 섞인 강자성체 입자의 분포 조절을 통해 이방성 전도체를 형성하여 소자와 회로/기판 사이의 물리적, 전기적 연결을 가능하게 했다. ▲ 네이처 일렉트로닉스 표지 특히, 단단한 물성의 접착제 영역을 최소화함으로써 전극/기판의 신축성과 유연성을 극대화할 수 있었다. 결과적으로, 이 기술은 현재까지 보고된 마이크로 LED어레이 중에서 가장 우수한 신축성과 유연성을 보였으며, 전극/기판의 물성에 상관없이 집적 기술을 적용할 수 있어 structure-based/intrinsically 스트레처블 전극을 포함한 임의의 전극에 광범위하게 전자 소자를 집적할 수 있었다. 또한, 수직방향 자기장에 의해 기둥 형태로 형성된 자기 조립 전도체는 소자와 전극 사이를 전기적으로 연결함과 동시에 기둥 사이에 발생하는 척력으로 수평 방향의 전도를 방지하여 전극 단자 사이에서 발생 가능한 전기적 단락을 효과적으로 억제했다.  이번 연구를 통해 연구팀은 제안한 방식으로 마이크로 IC구동부와 LED 표시부를 하나의 플렉시블 PCB에 집적하여 초소형 웨어러블 디스플레이/센서 시스템을 성공적으로 구현했다. 이는 기존에 상용화된 마이크로IC 칩 중 가장 작은 칩 하나의 크기보다도 작은 크기로, 미래의 고성능 및 고유연성 마이크로 전자 시스템의 구현 가능성을 입증했다. 홍용택 교수는 “이번 연구는 유연·신축 시스템의 기계적 특성을 극대화하면서 고성능 마이크로 전자 소자를 체계적으로 집적할 수 있는 기술을 개발했다는데 의의가 있다“며, “향후 플렉서블, 스트레처블 기기 상용화에 기여할 것”이라고 전했다. 한편, 이번 연구는 삼성미래기술육성사업의 지원을 받아 수행됐다. [참고자료]https://doi.org/10.1038/s41928-024-01159-3  [문의사항]서울대학교 공과대학 전기정보공학부 홍용택 교수 / 02-880-9567 / yongtaek@snu.ac.kr

2024.06.05

서울대 공대 재료공학부 강기석 교수팀, 층상 양극 소재의 회전 적층 결함에 따른 열화 메커니즘 규명

서울대 공대 재료공학부 강기석 교수팀, 층상 양극 소재의 회전 적층 결함에 따른 열화 메커니즘 규명

서울대 공대 재료공학부 강기석 교수팀, 층상 양극 소재의 회전 적층 결함에 따른 열화 메커니즘 규명- O2 적층형 양극 소재에서의 회전 적층 결함의 존재와 그 역할을 규명하고, 합성 과정 개질을 통해 조절하는 설계 방향성 제시- 세계적 학술지 네이쳐 머터리얼즈(Nature Materials, IF=41.2) 논문 게재 ▲(좌측부터) 서울대 재료공학부 강기석 교수, 스탠포드 재료공학부 음동건 연구원,서울대 재료공학부 박성오 연구원, 장호영 연구원 서울대학교 공과대학(학장 홍유석)은 재료공학부 강기석 교수 연구팀(음동건 연구원, 박성오 연구원, 장호영 연구원)이 O2 적층형 리튬 과잉 양극 소재에서의 회전 적층 결함의 존재와 그 역할을 처음으로 규명하고, 합성 과정 중 해당 결함을 조절하는 방법 제시에 성공했다고 전했다. 이번 연구로 고에너지 밀도의 리튬/망간 과잉 양극 소재를 설계하고 디자인하는데 새로운 기준을 제시할 것으로 기대된다. 니켈, 코발트, 망간은 리튬 이차전지 양극 소재를 구성하는 필수적인 전이 금속 원료이지만, 개중 니켈과 코발트의 가격이 폭등하고 원자재 수급이 불안정해지며 장기적인 양극 개발에 제동을 걸고 있다. 이에 가격 경쟁력 확보와 기존 전이 금속의 산화-환원과 더불어 산소의 산화-환원을 사용해 더 높은 이론 용량을 구현할 수 있는 리튬/망간 과잉 양극 소재가 높은 관심을 받고 있다. 그러나 산소 산화-환원 반응은 일반적으로 산소 가스 발생, 전이 금속의 이동, 전압 및 용량 강하와 같은 비가역적인 현상을 수반하며 전기화학적인 안정성이 크게 떨어지며 상용화되기엔 많은 장벽이 남아있는 상태이다. 연구팀은 이러한 기존 리튬/망간 과잉 양극재의 문제점을 해결하기 위해 2020년 O2 적층형 리튬/망간 과잉 양극재를 새롭게 제시하였고, 전이 금속의 비가역적인 이동을 효과적으로 제한하며 사이클에 따른 전압 강하 현상을 획기적으로 감소시켰다. 이번 연구에선 이러한 단결정 O2 적층형 리튬/망간 과잉 양극 소재를 모델 삼아, 기존 층상형 양극 소재의 열화 현상 중 하나인 입자 내 균열(intragranular crack)의 형성 메커니즘이 회전 적층 결함(rotational stacking fault)에서 비롯되었다는 것을 밝혔다.  ▲회전 적층 결함에 따른 기계화학적 열화 시뮬레이션 기존의 이해에 더해 층상형 양극 소재의 적층 결함이 회전적인 특징을 가지며, 회전 적층 결함을 기준으로 충/방전 과정에서 산소 가스가 발생하고 면간 응력이 집중되며 종국엔 입자 내에 균열을 초래한다는 점을 시뮬레이션과 실험을 통해 명확히 밝혔다. 또한 합성 온도의 개질이 회전 적층 결함의 정도를 조절할 수 있고, 전기화학 성능의 향상을 야기할 수 있음을 밝혀 물질의 기계적, 전기화학적 거동 간의 긴밀한 관계를 규명했다. 이러한 이해를 바탕으로 연구팀은 층상형 양극 소재의 설계 방향성에 새로운 화두를 제시했다. 강기석 교수는 “층상형 양극 소재의 열화 메커니즘을 재해석했다는 점에서 의미가 크며, 새로운 양극 소재를 설계할 때 필수적인 디자인 룰을 제시하는데 기여할 우수한 연구결과”라며, “산소의 전기화학적 산화-환원 반응과 물질의 미시기계적 거동 간의 관계를 명확히 규명했다는 점에서 큰 의의가 있다”고 강조했다. 한편, 이번 연구결과는 세계적으로도 주목받아 자연 과학 분야에서 가장 권위 있는 학술지인 Nature Publishing Group의 Nature Materials에 5월 3일자로 온라인 게재되었다. 이 연구는 강기석 교수의 지도하에 음동건 연구원, 박성오 연구원, 장호영 연구원이 주도적으로 진행하였으며, 한국연구재단의 이공분야 학문후속세대 지원사업/기초 신진연구자 지원사업/선도연구센터 지원사업, 기초과학연구원, LG 에너지솔루션의 지원으로 수행되었다.  [문의사항]서울대학교 공과대학 재료공학부 강기석 교수 / 02-880-7088 / matlgen1@snu.ac.kr

2024.05.31

서울대학교공과대학 학과/학부를 소개합니다.

건설환경공학부

Civil and Environmental Engineering

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